包装管件

系列汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）2.8 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 140µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）195nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）15750pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）188W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装PG-TO220-3-1

封装/外壳TO-220-3