FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：225pF @ 100V

功率耗散（最大值）：5W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 1A，10V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-SOT223

封装/外壳：PG-SOT223-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：5.2 A

最大漏源电压：700 V

最大漏源电阻值：1.5 0hms

最大栅阈值电压：3.5V

最小栅阈值电压：2.5V

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：SOT-223

引脚数目：3+Tab

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：5 W

典型接通延迟时间：7.7 ns

典型关断延迟时间：33 ns

典型输入电容值@Vds：225 pF @ 100 V

典型栅极电荷@Vgs：10.5 nC @ 10 V

系列：CoolMOS CE

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-40 °C

宽度：3.7mm

长度：6.7mm

高度：1.7mm

正向二极管电压：0.9V

尺寸：6.7 x 3.7 x 1.7mm

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs