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IPLU300N04S4R8XTMA1 /MOSFET N-CHANNEL 30/40V
IPLU300N04S4R8XTMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H-PSOF-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:300 A

Rds On-漏源导通电阻:770 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:221 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:429 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:10.58 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:10.1 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:61 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:68 ns

典型接通延迟时间:50 ns

零件号别名:IPLU300N04S4-R8 SP001063102

供应商IPLU300N04S4R8XTMA1
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPLU300N04S4R8XTMA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18938047708/18938048779
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IPLU300N04S4R8XTMA1MOSFET N-CHANNEL 30/40VInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO261.52 Kbytes共9页IPLU300N04S4R8XTMA1的PDF下载地址
IPLU300N04S4R8XTMA1MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOFInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO262.77 Kbytes共9页IPLU300N04S4R8XTMA1的PDF下载地址
IPLU300N04S4R8XTMA1MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOFInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO262.77 Kbytes共9页IPLU300N04S4R8XTMA1的PDF下载地址
IPLU300N04S4R8XTMA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):300A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 230uA 漏源导通电阻:0.77mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):429W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO283.85 Kbytes共9页IPLU300N04S4R8XTMA1的PDF下载地址
IPLU300N04S4R8XTMA1的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Digi-Key 得捷电子
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF$6.44000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 30/40V1:¥42.262
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
2,000:¥21.2101
4,000:查看
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 230uA 漏源导通电阻:0.77mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):429W 类型:N沟道1+:¥49.74
10+:¥43.04
30+:¥41.81
100+:¥40.58
500+:¥40.03
1000+:¥39.35