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IPI024N06N3G / MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3
IPI024N06N3G的规格信息
IPI024N06N3G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:120 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:2.1 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

封装 / 箱体:TO-262-3

封装:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:24 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:80 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:79 ns

典型接通延迟时间:41 ns

零件号别名:IPI024N06N3GHKSA1 IPI024N06N3GXK IPI024N06N3GXKSA1 SP000680644

供应商IPI024N06N3G
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元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		IPI024N06N3GInfineon Technologies Americas Inc.- Rail/Tube500 : $1.3444
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Mouser 贸泽电子		IPI024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-31:¥21.8203
10:¥18.5207
100:¥14.8256
500:¥12.9837
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