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IPDH4N03LAG /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPDH4N03LAG的规格信息
IPDH4N03LAG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 60A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 40µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3200pF @ 15V

功率 - 最大值:94W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:PG-TO252-3

其它名称:IPDH4N03LAGINTRIPDH4N03LAGXTIPDH4N03LAGXTINTRIPDH4N03LAGXTINTR-NDSP000016407

供应商IPDH4N03LAG
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IPDH4N03LAGInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥13.23
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25+:¥10.67
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