FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：23.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 750µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：44nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2080pF @ 100V

功率耗散（最大值）：176W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 9A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：PG-TO263-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：23.8 A

最大漏源电压：650 V

最大漏源电阻值：160 m0hms

最大栅阈值电压：4.5V

最小栅阈值电压：3.5V

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

安装类型：通孔

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：176 W

典型接通延迟时间：12.5 ns

典型关断延迟时间：40 ns

典型输入电容值@Vds：2080 pF @ 100 V

典型栅极电荷@Vgs：44 nC @ 10 V

系列：CoolMOS P6

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

宽度：4.57mm

长度：10.31mm

高度：9.45mm

正向二极管电压：0.9V

尺寸：10.31 x 4.57 x 9.45mm

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs