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IPB50R199CP /MOSFET N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R199CP的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:17 A

Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:139 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:CoolMOS CE

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:35 ns

零件号别名:IPB50R199CPATMA1 IPB5R199CPXT SP000236092

单位重量:4 g

供应商IPB50R199CP
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深圳市安富世纪电子有限公司IPB50R199CP深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市芯幂科技有限公司IPB50R199CP深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419,19076157484
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB50R199CPATMA1深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
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IPB50R199CPInfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET COOL MOS N-CH 550V 17A1000+:¥11.791000+:¥11.8601
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IPB50R199CPInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel1,000 : $1.8894
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IPB50R199CPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2$1.41000
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Digi-Key 得捷电子
IPB50R199CPInfineon Technologies AGMOSFET N-CH 550V 17A TO-2631,000 : $1.62008
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Digi-Key 得捷电子
IPB50R199CPInfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET COOL MOS N-CH 550V 17A1000+:¥11.79
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IPB50R199CPATMA1Infineon TechnologiesOPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET$1.41000
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Digi-Key 得捷电子
IPB50R199CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 550V 17A TO263-3$1.86235
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Mouser 贸泽电子
IPB50R199CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP1:¥22.4418
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Rochester Electronics
IPB50R199CPInfineon Technologies AGREF: SP000236092500 : $1.91
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IPB50R199CPInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 漏源电压(Vdss):550V 栅源极阈值电压:3.5V @ 660uA 漏源导通电阻:199mΩ@ 9.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):139W(Tc) 类型:N沟道1+:¥26.73
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