FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：89A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：206nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：14200pF @ 40V
功率耗散（最大值）：42W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 89A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-FP
封装/外壳：PG-TO220-3
通道类型：N
最大连续漏极电流：100 A
最大漏源电压：80 V
最大漏源电阻值：2.8 m0hms
最大栅阈值电压：3.5V
最小栅阈值电压：2V
封装类型：TO-220FP
晶体管配置：单
引脚数目：3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散：42 W
典型接通延迟时间：30 ns
最低工作温度：-55 °C
晶体管材料：Si
典型输入电容值@Vds：10700 pF@ 60 V
最高工作温度：+175 °C
每片芯片元件数目：1
系列：OptiMOS 3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs