包装管件
系列CoolSiC™
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）1.2kV
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）59 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.7V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）52nC @ 15V
Vgs（最大值）+20V， -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1.9nF @ 800V
FET 功能-
功率耗散（最大值）228W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO247-3-41
封装/外壳TO-247-3