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IMBF170R450M1XTMA1 /SIC MOSFET 1700V
IMBF170R450M1XTMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列CoolSiC™

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)1700V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)9.8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)12V,15V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)450毫欧 @ 2A,15V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5.7V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)11nC @ 12V

Vgs(最大值)+20V, -10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)610pF @ 1000V

FET 功能-

功率耗散(最大值)107W(Tc)

工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-TO263-7

封装/外壳TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

供应商IMBF170R450M1XTMA1
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