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IKP20N60H3 /IGBT 晶体管 600V HI SPEED SW IGBT
IKP20N60H3的规格信息
IKP20N60H3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-220-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.95 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

Pd-功率耗散:170 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:HighSpeed 3

封装:Tube

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:500

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IKP20N60H3XKSA1 IKP2N6H3XK SP000852236

单位重量:2.300 g

供应商IKP20N60H3
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IKP20N60H3High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO2299.99 Kbytes共16页IKP20N60H3的PDF下载地址无
IKP20N60H3XKSA1IGBT 600V 40A 170W TO220-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO2.24 Mbytes共16页IKP20N60H3XKSA1的PDF下载地址无
IKP20N60H3的全球分销商及价格
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10+:￥10.95
30+:￥10.27
100+:￥9.6
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