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IKD04N60RFATMA1 /IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IKD04N60RFATMA1的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-252-3

安装风格:SMD/SMT

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.2 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:8 A

Pd-功率耗散:75 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:RC

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.41 mm

长度:6.73 mm

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IKD04N60RF SP000942932

供应商IKD04N60RFATMA1
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Mouser 贸泽电子		IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥5.9664
500:¥5.2771
1,000:¥4.1697
2,500:¥3.6951
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