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IKB20N60H3 /IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
IKB20N60H3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-263-3

安装风格:SMD/SMT

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.95 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

Pd-功率耗散:170 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:HighSpeed 3

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IKB20N60H3ATMA1 IKB2N6H3XT SP000852234

单位重量:2.200 g

供应商IKB20N60H3
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Mouser 贸泽电子
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