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IKA08N65ET6XKSA1 /IGBT 晶体管 Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
IKA08N65ET6XKSA1的规格信息
IKA08N65ET6XKSA1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-220FP-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:11 A

Pd-功率耗散:33 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:IGBT6

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:11 A

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:500

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IKA08N65ET6 SP001701332

供应商IKA08N65ET6XKSA1
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