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IGW50N65F5 /IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGW50N65F5的规格信息
IGW50N65F5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:305 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:TRENCHSTOP 5 F5

封装:Tube

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:240

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IGW50N65F5FKSA1 SP000973426

供应商IGW50N65F5
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IGW50N65F5的全球分销商及价格
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