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IGW03N120H2FKSA1 /Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
IGW03N120H2FKSA1的规格信息
IGW03N120H2FKSA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):9.6A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):1000 9.9A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.8V @ 15V,3A

功率 - 最大值:62.5W

开关能量:290µJ

输入类型:标准

25°C 时 Td(开/关)值:9.2ns/281ns

测试条件:800V,3A,82 欧姆,15V

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:PG-TO247-3

供应商IGW03N120H2FKSA1
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深圳市辉华拓展电子有限公司IGW03N120H2FKSA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司IGW03N120H2FKSA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市赛美科科技有限公司IGW03N120H2FKSA1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市安富世纪电子有限公司IGW03N120H2FKSA1深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市瑞浩芯科技有限公司IGW03N120H2FKSA1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司IGW03N120H2FKSA1深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IGW03N120H2FKSA1深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市凌特半导体科技有限公司IGW03N120H2FKSA1广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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IGW03N120H2FKSA1IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO341.8 Kbytes共13页IGW03N120H2FKSA1的PDF下载地址
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