包装标准卷带
系列CoolGaN™
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1,6V @ 2,6mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）1,6V @ 2,6mA
Vgs（最大值）±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）382pF @ 320V
FET 功能-
功率耗散（最大值）125W（Tc）
工作温度0°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-HSOF-8-3
封装/外壳8-PowerSFN