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IGP10N60T /IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
IGP10N60T的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-220-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:24 A

Pd-功率耗散:110 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:TRENCHSTOP IGBT

封装:Tube

高度:9.25 mm

长度:10 mm

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:500

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IGP10N60TXKSA1 IGP1N6TXK SP000683042

单位重量:6 g

供应商IGP10N60T
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