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IGC10T65QEX1SA1 /IGBT CHIP
IGC10T65QEX1SA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageBulk

IGBT TypeTrench Field Stop

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V

Current - Collector (Ic) (Max)20 A

Current - Collector Pulsed (Icm)60 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.32V @ 15V, 20A

Power - Max-

Switching Energy-

Input TypeStandard

Gate Charge-

Td (on/off) @ 25°C-

Test Condition-

Reverse Recovery Time (trr)-

Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Package / CaseDie

Supplier Device PackageDie

供应商IGC10T65QEX1SA1
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