数据列表:IGB01N120H2
标准包装:1,000
类别:分立半导体产品
家庭:IGBT - 单路
系列:-
包装:带卷(TR)
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):3.2A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):3.5A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,1A
功率 - 最大值:28W
开关能量:140µJ
输入类型:标准
栅极电荷:8.6nC
25°C 时 Td(开/关)值:13ns/370ns
测试条件:800V,1A,241 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:PG-TO263-3-2
其它名称:IGB01N120H2ATMA1SP000014614