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HVR50D82M5J /
HVR50D82M5J的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

电阻:82.5MOhms

偏差:±5%

功率(W):100W

成分:厚膜

温度系数:±300ppm/°C

特性:高电压,射频,高频率

涂层,外壳类型:

安装特性:支架(不包括)

尺寸:1.181" 直径 x 10.236" 长(30.00mm x 260.00mm)

引线形式:金属环箍端头(金属环箍端头,M5 螺纹)

封装/外壳:轴向,管状

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商HVR50D82M5J
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深圳市芯幂科技有限公司HVR50D82M5J深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司HVR50D82M5J深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市百视威讯电子科技有限公司HVR50D82M5J华强广场C座18J0755-27381274
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聚洵半导体科技(上海)有限公司HVR50D82M5J上海市浦东新区张衡路198弄10号601室4000701888
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北京芯时代电子科技发展有限公司HVR50D82M5J北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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HVR50D82M5JTE Connectivity Passive ProductRES CHAS MNT 82.5M OHM 5% 100W$628.79200
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