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HUFA76504DK8T /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
HUFA76504DK8T的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：UltraFET??

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：270pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

供应商HUFA76504DK8T
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HUFA76504DK8T2.3A, 80V, 0.222 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO313.37 Kbytes共13页HUFA76504DK8T的PDF下载地址HUF76105DK8,HUF76105DK8,HUF76113DK8,HUF76113DK8,HUF76407DK8,HUF76407DK8,HUFA76407DK8,HUF76429P3,HUFA76629D3,HUF76132SK8
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