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HUF76633P3_F085 /ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF76633P3_F085, 39 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
HUF76633P3_F085的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:39 A

最大漏源电压:100 V

最大漏源电阻值:35 m0hms

最大栅阈值电压:3V

最小栅阈值电压:1V

最大栅源电压:-16 V、+16 V

封装类型:TO-220AB

安装类型:通孔

晶体管配置:

引脚数目:3

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:145 W

长度:10.67mm

每片芯片元件数目:1

尺寸:10.67 x 4.7 x 16.3mm

宽度:4.7mm

系列:UltraFET

晶体管材料:Si

典型栅极电荷@Vgs:56 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:1820 pF @ 25 V

典型关断延迟时间:63 ns

典型接通延迟时间:7.5 ns

最低工作温度:-55 °C

高度:16.3mm

最高工作温度:+175 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商HUF76633P3_F085
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深圳市坤融电子有限公司HUF76633P3_F085航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司HUF76633P3_F085深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司HUF76633P3_F085深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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芯莱德电子(香港)有限公司HUF76633P3_F085深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司HUF76633P3-F085深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷芯城科技有限公司HUF76633P3-F085深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市高捷半导体有限公司HUF76633P3_F085深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市芯泽盛世科技有限公司HUF76633P3_F085龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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集好芯城HUF76633P3_F085深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司HUF76633P3-F085深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城HUF76633P3-F085深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市赛美科科技有限公司HUF76633P3-F085广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市河锋鑫科技有限公司HUF76633P3-F085华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司HUF76633P3_F085深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市凌特半导体科技有限公司HUF76633P3_F085广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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HUF76633P3-F085ON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A TO220-3Obsolete
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