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HUF76407DK8T /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
HUF76407DK8T的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：UltraFET??

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 3.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：11.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：330pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

供应商HUF76407DK8T
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HUF76407DK8T3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO262.44 Kbytes共12页HUF76407DK8T的PDF下载地址HUFA76407DK8,HUF76407DK8,HUF76407P3,HUFA76439P3,HUF76429P3,HUF76105DK8,RF1K49090,HUF76409D3,HUFA76443P3,HUF76432P3
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