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HUF75939S3ST / MOSFET TO-263
HUF75939S3ST的规格信息
HUF75939S3ST的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:22 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:180 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:33 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:26 ns

系列:HUF75939

典型关闭延迟时间:65 ns

典型接通延迟时间:12 ns

供应商HUF75939S3ST
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HUF75939S3ST22A, 200V, 0.125 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO195.68 Kbytes共10页HUF75939S3ST的PDF下载地址HUFA76413P3,HUF75623P3,HUF76413P3,IRFD220,IRF530N,HUF75309T3ST,HUF76131SK8,HUF76443P3,HUFA75831SK8,HUF75829D3
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