HU60N03
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
HU60N03的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）60A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻14mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2W
类型N沟道
HU60N03
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| HU60N03 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 | HL(豪林) |  | 2.51 Mbytes | 共8页 |  | 无 |
HU60N03的全球分销商及价格
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立创商城 | HU60N03 | HL(豪林) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 | 1+:￥0.8777
10+:￥0.6578
30+:￥0.6174
100+:￥0.577
500+:￥0.559
1000+:￥0.5501
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