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HTNFET-D /Honeywell Microelectronics & Precision Sensors/分立半导体产品
HTNFET-D的规格信息
HTNFET-D的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:HTMOS??

包装:散装

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 100mA,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.3nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):290pF @ 28V

功率 - 最大值:50W

安装类型:通孔

封装/外壳:8-CDIP 裸露焊盘

供应商器件封装:8-CDIP-EP

其它名称:342-1078

供应商HTNFET-D
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