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HSST3139 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：P沟道

HSST3139的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）1A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻230mΩ @ 1A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）750mW

类型P沟道

HSST3139

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芯莱德电子（香港）有限公司	HSST3139	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	HSST3139	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	HSST3139	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
集好芯城	HSST3139	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HSST3139	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市德东科技有限公司	HSST3139	深圳市福田区深南大道3007号国际科技大厦1605	075583222701 13975536999	吴先生	询价

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HSST3139	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：P沟道	HUASHUO(华朔)		707.38 Kbytes	共5页		无

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立创商城	HSST3139	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：P沟道	20+:￥0.170513 200+:￥0.125531 600+:￥0.117269 2000+:￥0.109007 10000+:￥0.105335 20000+:￥0.103521

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