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HSSK6303 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双N沟道

HSSK6303的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）500mA

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻450mΩ @ 0.5A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）300mW

类型双N沟道

HSSK6303

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HSSK6303	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双N沟道	HUASHUO(华朔)		1.84 Mbytes	共5页		无

HSSK6303的全球分销商及价格

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立创商城	HSSK6303	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双N沟道	10+:￥0.350499 100+:￥0.258036 300+:￥0.241053 1000+:￥0.22407 5000+:￥0.216522 10000+:￥0.212792

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