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HSSK6303 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双N沟道
HSSK6303的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)500mA

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻450mΩ @ 0.5A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)300mW

类型双N沟道

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HSSK6303连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO1.84 Mbytes共5页HSSK6303的PDF下载地址
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HSSK6303HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双N沟道10+:¥0.350499
100+:¥0.258036
300+:¥0.241053
1000+:¥0.22407
5000+:¥0.216522
10000+:¥0.212792