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HSM6303 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双P沟道
HSM6303的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻70mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W

类型双P沟道

供应商HSM6303
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HSM6303连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO453.15 Kbytes共5页HSM6303的PDF下载地址
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HSM6303HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双P沟道1+:¥1.6862
10+:¥1.2414
30+:¥1.1597
100+:¥1.078
500+:¥1.0417
1000+:¥1.0238