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HSM6115 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道
HSM6115的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)11A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻25mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)5W

类型P沟道

供应商HSM6115
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HSM6115连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO2.53 Mbytes共5页HSM6115的PDF下载地址
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HSM6115HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道1+:¥1.6555
10+:¥1.2406
30+:¥1.1644
100+:¥1.0882
500+:¥1.0544
1000+:¥1.0376