HSM4805
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道
HSM4805的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）9A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻16mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2W
类型双P沟道
HSM4805
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| HSM4805 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 532.34 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSM4805的全球分销商及价格
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立创商城 | HSM4805 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道 | 1+:￥1.2505
10+:￥0.9206
30+:￥0.86
100+:￥0.7994
500+:￥0.7725
1000+:￥0.7592
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