HSM4407
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道
HSM4407的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)11.5A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻15mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型P沟道
HSM4407
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HSM4407 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 841.53 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSM4407的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSM4407 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 | 1+:¥0.8346 10+:¥0.6097 30+:¥0.5684 100+:¥0.5271 500+:¥0.5087 1000+:¥0.4997
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