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HSM2627 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.7A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
HSM2627的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10.7A

栅源极阈值电压1.0V @ 250uA

漏源导通电阻9mΩ @ 10A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型P沟道

供应商HSM2627
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HSM2627连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.7A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO2.92 Mbytes共5页HSM2627的PDF下载地址
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HSM2627HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.7A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥1.6294
10+:¥1.1996
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