图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V,-40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A,-9A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 5A,10V;32mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.67W
类型N沟道和P沟道