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HSF4N65 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W 类型:N沟道
HSF4N65的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻3Ω @ 2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)38W

类型N沟道

供应商HSF4N65
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HSF4N65连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO1.36 Mbytes共6页HSF4N65的PDF下载地址
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HSF4N65HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W 类型:N沟道1+:¥1.2766
10+:¥0.9567
30+:¥0.898
100+:¥0.8392
500+:¥0.8131
1000+:¥0.8002