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HSF4N65 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W 类型：N沟道

HSF4N65的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻3Ω @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）38W

类型N沟道

HSF4N65

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HSF4N65	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W 类型：N沟道	HUASHUO(华朔)		1.36 Mbytes	共6页		无

HSF4N65的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	HSF4N65	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W 类型：N沟道	1+:￥1.2766 10+:￥0.9567 30+:￥0.898 100+:￥0.8392 500+:￥0.8131 1000+:￥0.8002

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