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HSCE2530 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道

HSCE2530的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）50A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻2mΩ @ 20A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）83W

类型N沟道

HSCE2530

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HSCE2530	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道	HUASHUO(华朔)		788.91 Kbytes	共5页		无

HSCE2530的全球分销商及价格

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立创商城	HSCE2530	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道	1+:￥2.64 10+:￥1.94 30+:￥1.81 100+:￥1.69 500+:￥1.63 1000+:￥1.6

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