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HSCA2030 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):56A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:双N沟道(共漏)
HSCA2030的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)56A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻5.8mΩ @ 3A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)31W

类型双N沟道(共漏)

供应商HSCA2030
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芯莱德电子(香港)有限公司HSCA2030深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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HSCA2030连续漏极电流(Id)(25°C 时):56A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:双N沟道(共漏)HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO460.40 Kbytes共5页HSCA2030的PDF下载地址
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HSCA2030HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):56A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:双N沟道(共漏)1+:¥1.4162
10+:¥1.0613
30+:¥0.9962
100+:¥0.931
500+:¥0.902
1000+:¥0.8877