制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:HSML3030L-10

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7 A, 11 A

Rds On-漏源导通电阻:12.8 mOhms, 10.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, 12 V

Qg-栅极电荷:11.1 nC, 20.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:2 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:5.1 ns, 7.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10.8 ns, 15 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26.8 ns, 47.3 ns

典型接通延迟时间:9.4 ns, 13.6 ns

零件号别名:HS8K11