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HS54097TZ-E /Renesas Electronics America/分立半导体产品
HS54097TZ-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 欧姆 @ 75mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V

功率 - 最大值:750mW

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

供应商器件封装:TO-92

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