制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:HSOP-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:27 A, 57 A

Rds On-漏源导通电阻:6.7 mOhms, 3.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:10 nC, 16.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:2 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:10 S, 18 S

下降时间:3.4 ns, 8.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.5 ns, 7.2 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25.5 ns, 34.7 ns

典型接通延迟时间:9.6 ns, 13.2 ns

零件号别名:HP8K22