图像仅供参考,请参阅规格书
驱动配置:半桥
通道类型:同步
驱动器数:4
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V
输入类型:非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):15V
上升/下降时间(典型值):20ns,20ns
工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装:16-QFN-EP(5x5)
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs