图像仅供参考,请参阅规格书
驱动配置:高压侧
通道类型:3 相
驱动器数:3
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:7 V ~ 15 V
逻辑电压 - VIL,VIH:1V,2.5V
输入类型:反相
高压侧电压 - 最大值(自举):95V
上升/下降时间(典型值):35ns,30ns
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:16-DIP
供应商器件封装:16-PDIP
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs