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HGTP12N60B3D / IGBT 晶体管
HGTP12N60B3D的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V

在25 C的连续集电极电流:27 A

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:TO-220-3

商标:Fairchild Semiconductor

集电极最大连续电流 Ic:27 A

最小工作温度:- 55 C

安装风格:Through Hole

系列:HGTP12N60

供应商HGTP12N60B3D
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HGTP12N60B3D27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO117.6 Kbytes共7页HGTP12N60B3D的PDF下载地址HGTP7N60B3D,HGTP7N60B3D,HGTG20N60B3D,HGTG30N60B3D,HGTG12N60C3D,HGTG20N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTG20N60B3D,HGTG20N60C3D,HGTP3N60B3D
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