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HFS12N65S /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:780mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W(Tc) 类型:N沟道
HFS12N65S的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻780mΩ @ 6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)51W(Tc)

类型N沟道

供应商HFS12N65S
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HFS12N65SSemiHow连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:780mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.84
10+:¥3.65
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