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HF25N50 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：173W(Tc) 类型：N沟道

HF25N50的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）500V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）25A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻300mΩ @ 12.5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）173W(Tc)

类型N沟道

HF25N50

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HF25N50	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：173W(Tc) 类型：N沟道	HL(豪林)		4.18 Mbytes	共7页		无

HF25N50的全球分销商及价格

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立创商城	HF25N50	HL(豪林)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：173W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥5.44 10+:￥4.07 30+:￥3.81 100+:￥3.56 500+:￥3.45 1000+:￥3.39

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