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HF10N60 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

HF10N60的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）600V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）9.5A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻800mΩ @ 4.75A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）50W(Tc)

类型N沟道

HF10N60

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HF10N60	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道	HL(豪林)		1.48 Mbytes	共7页		无

HF10N60的全球分销商及价格

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立创商城	HF10N60	HL(豪林)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥2.95 10+:￥2.2 30+:￥2.06 100+:￥1.93 500+:￥1.86 1000+:￥1.83

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