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HE8550G-D-AB3-R的供应商/规格参数
HE8550G-D-AB3-R
/集电极电流Ic:1.5A 额定功率:500mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V
HE8550G-D-AB3-R
的规格信息
图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型
三极管
额定功率
500mW
集电极电流Ic
1.5A
集射极击穿电压Vce
25V
晶体管类型
PNP
HE8550G-D-AB3-R
HE8550G-D-AB3-R
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深圳市芯幂科技有限公司
HE8550G-D-AB3-R
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深圳市仓实科技有限公司
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深圳市芯泽盛世科技有限公司
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龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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深圳市成源运利电子科技有限公司
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HE8550G-D-AB3-R
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HE8550G-D-AB3-R
集电极电流Ic:1.5A 额定功率:500mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V
UTC(友顺)
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HE8550G-D-AB3-R
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集电极电流Ic:1.5A 额定功率:500mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V
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