HD830U
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.13W 类型：N沟道
HD830U的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）550V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻1.3Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）3.13W
类型N沟道
HD830U
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| HD830U | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.13W 类型：N沟道 | HL(豪林) |  | 2.98 Mbytes | 共8页 |  | 无 |
HD830U的全球分销商及价格
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立创商城 | HD830U | HL(豪林) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.13W 类型：N沟道 | 1+:￥0.71286
10+:￥0.53142
30+:￥0.49806
100+:￥0.46476
500+:￥0.44994
1000+:￥0.44262
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