HD60N75
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W(Tc) 类型：N沟道
HD60N75的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）75V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）60A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻16mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）3.75W(Tc)
类型N沟道
HD60N75
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| HD60N75 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W(Tc) 类型：N沟道 | HL(豪林) |  | 2.67 Mbytes | 共8页 |  | 无 |
HD60N75的全球分销商及价格
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立创商城 | HD60N75 | HL(豪林) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.5261
10+:￥1.1362
30+:￥1.0646
100+:￥0.993
500+:￥0.9612
1000+:￥0.9455
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